Matériaux verriers
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Métallisation / Revêtement métallisé
Revêtement anti-traces de doigts (AF)

Meulage du verre des deux côtés pour le contrôle de l'épaisseur

Le meulage double face est utilisé pour réduire l'épaisseur, corriger la planéité et améliorer le parallélisme du verre, du quartz, de la silice fondue, du verre optique et d'autres substrats durs et cassants. En traitant les deux faces simultanément, cette méthode permet de réduire le gauchissement, les déséquilibres de contraintes résiduelles et les variations d’épaisseur, ce qui la rend adaptée aux plaquettes, aux plaques optiques, aux ébauches de filtres, aux lingots de cristal laser, au verre d’écran et aux composants d’entretoises de précision.

Nous proposons des services de meulage double face sur mesure pour la fabrication de prototypes et la production en série, avec une tolérance d’épaisseur standard allant jusqu’à ±5 μm, une tolérance de précision allant jusqu’à ±2 μm, un parallélisme ≤ 2 μm sur l’ensemble du substrat et une rugosité de surface comprise entre 0,4 et 1,6 μm Ra selon le grain de l’abrasif. Le polissage, le découpage, le revêtement et l’inspection après rectification peuvent également être organisés conformément aux plans et aux exigences de l’application.

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Détails - Introduction

What Is Double-Sided Grinding?

Double-sided grinding — also known as double-sided lapping — is a precision material removal process in which both surfaces of a glass workpiece are ground simultaneously between two counter-rotating lapping plates. Abrasive slurry or fixed-abrasive pads are used to reduce thickness, correct flatness, and improve surface uniformity in a single pass. Unlike single-sided grinding, the double-sided process ensures that both faces are processed under identical conditions, minimizing the risk of warpage and residual stress imbalance. It is typically used as a preparatory step before polishing, or as a final step when a controlled matte surface finish is required.

Capacités de traitement

  • Tolérance d'épaisseur : ±5 µm (standard) / ±2 µm (precision)
  • Parallelism: ≤ 2 µm across full substrate
  • Planéité : ≤ 5 µm (λ/4 achievable after polishing)
  • Rugosité de surface (Ra) : 0.4 – 1.6 µm (depending on abrasive grade)
  • Substrate Diameter: Up to 300 mm (round); rectangular substrates available
  • Material Removal Rate: 5 – 30 µm/min (material-dependent)
  • Batch Capacity: Multi-piece planetary carriers for high-volume runs

Normes relatives à la finition des surfaces

  • Ra ≤ 0.4 µm — Fine lapping, suitable for direct bonding or thin-film deposition
  • Ra 0.4 – 0.8 µm — Standard lapping, ready for downstream polishing
  • Ra 0.8 – 1.6 µm — Coarse lapping, used for thickness reduction and stock removal
  • Scratch-Dig : 80-50 (post-lapping); 40-20 achievable after polishing
  • Condition aux bords : Chamfered or beveled edges available to prevent chipping
  • Propreté : Ultrasonic cleaning and inspection included after grinding

Applications typiques

  • Semiconductor Wafer Preparation: Silicon and quartz wafer thinning and planarization
  • Optical Flat Substrates: Windows, etalons, and filter blanks requiring tight parallelism
  • Laser Gain Media: Nd:YAG and other crystal slabs ground to precise thickness
  • Display Glass Processing: Uniform thickness reduction for LCD and OLED substrates
  • Dispositifs microfluidiques : Flat glass wafers for bonding and channel formation
  • Precision Spacers & Shims: High-parallelism glass components for metrology instruments

Spécifications personnalisées

We accept custom grinding orders for both prototype and production volumes. Substrates can be supplied by the customer or sourced from our material inventory. Custom parameters include target thickness, removal depth per side, abrasive grade selection (aluminum oxide, silicon carbide, or diamond slurry), and carrier design for non-standard geometries. Post-grinding services — including polishing, dicing, coating, and inspection — are available as part of an integrated processing workflow. All finished substrates are individually measured and documented with a full dimensional report.

Single-Sided vs Double-Sided Grinding

ParamètreSingle-Sided GrindingMeulage double face
Surfaces ProcessedOne surface per passBoth surfaces simultaneously
ParallélismeModerate (≤ 10 µm typical)High (≤ 2 µm achievable)
PlanéitéGood (depends on fixture)Excellent (self-correcting geometry)
Residual StressHigher (asymmetric loading)Lower (symmetric, balanced removal)
Warpage RiskHigher for thin substratesSignificantly reduced
Processing TimeTwo setups requiredSingle setup, shorter cycle time
Batch ThroughputLowerHigher (planetary multi-piece carriers)
Typical Use CaseOne-sided surface prep, bevelingWafer thinning, optical flats, precision blanks

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